İkinci Nesil Akım Taşıyıcı (CCII) Kullanılarak Yapılan Topraklanmış Endüktans Simülatörü

ELECO '2012 Elektrik - Elektronik ve Bilgisayar Mühendisliği Sempozyumu, Bursa, Türkiye, 1 - 04 Aralık 2012, cilt.1, ss.285-289

Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
Cilt numarası: 1
Basıldığı Şehir: Bursa
Basıldığı Ülke: Türkiye
Sayfa Sayıları: ss.285-289
Akdeniz Üniversitesi Adresli: Evet

Bu çalışmada, üç adet negatif tip ikinci nesil akım taşıyıcı (CCII-) kullanılarak yapılan yeni bir CMOS topraklanmış endüktans simülatörü anlatılmaktadır. Hazırlanan endüktans simülatörü on bir adet MOS transistör, dört adet topraklanmış direnç ve bir adet topraklanmış kapasitörden oluşmaktadır. Bu nedenle devre, tümleşik devre üretimi açısından kullanışlıdır. Hazırlanan edüktörün frekans ve zaman ortamındaki davranışını göstermek için, 0.25 μm TSMC CMOS teknolojisi kullanılarak SPICE programında simülasyonlar gerçekleştirilmiştir. Ayrıca, tasarlanan devre, bant geçiren, alçak geçiren ve yüksek geçiren süzgeç uygulamalarında kullanılmıştır. Yapılan simülasyonlar, hazırlanan endüktans simülatörünün performansını ve çalışabilir olduğunu göstermektedir.

In this paper, a new CMOS grounded inductor simulator based on using three CCII-s is presented. The introduced inductor simulator includes eleven MOS transistors, four grounded resistors and a grounded capacitor. Therefore, it is suitable for integrated circuit (IC) fabrication. To demonstrate the frequency and time-domain behavior of the proposed inductor, we performed simulations with SPICE program using 0.25-μm TSMC CMOS technology. Also, introduced circuit is applied to band-pass, low-pass and highpass filter applications. All of the simulations verify the workability and performance of the proposed inductor simulator.