Akademik Veri Yönetim Sistemi
Türk Fizik Derneği 27. Uluslararası Fizik Kongresi, İstanbul, Türkiye, 14 - 17 Eylül 2010, ss.679
İki boyutlu elektron sistemlerinin düşük sıcaklıklarda, güçlü manyetik alanlara maruz bırakılması ile gözlemlenen kuantum Hall etkisi, kenar durumlarından elektron taşınım mekanizmalarının incelenmesi ile daha iyi anlaşılabilmektedir. Bu çalışmada elektron taşınım kanallarından biri olan v=1/3 doldurma faktörlü kesirli kuantize Hall durumu incelenmektedir. Çalışmamız kesirli kuantize Hal etkisinin perdeleme teorisine dayanmaktadır ve elektronlar arasındaki etkileşmeler Hartree seviyesinde hesaba katılmaktadır. Elektron sisteminin farklı tuzaklama durumları (kapı potansiyeli uygulama ya da kesme işlemi yapma) ile değişen elektron dağılım profili ve bunun sonucunda ortaya çıkan akım taşıyan durumların yollarında ortaya çıkan farklılıklar analiz edilmektedir. Bir plunger voltajı uygulanarak elektronların farklı yollar izlemeleri sağlanmış ve girişim özellikleri incelenmiştir. Elektronların bu yollar ile kapattığı bölgelerin alanları hesaplanmıştır. Yol farkının sonucunda doğan v=1/3 durumundaki osilasyonların, kuantum mekaniksel fazın bir etkisi olarak ortaya çıktığı teorik olarak gözlenmiştir. v=1/3 durumunun girişim aralıkları, farklı tuzaklama durumları ile analiz edilmiştir. Kapı voltajının uygulandığı durumlarda girişim aralıları geniş iken, kesme yapılan durumlarda girişim aralıklarının daha dar olduğu gözlenmiştir.