Adsorbatların Grafen/Silikon Bazlı Schottky Bariyer Fotodiyotlarının Optoelektronik Özellikleri Üzerindeki Etkisi

Tez Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Fen ve Mühendislik Enstitüsü, Fizik Bölümü, Türkiye

Tez Danışmanı: Cem Çelebi

Tezin Onay Tarihi: 2020

Tezin Dili: İngilizce

Özet:

Bu çalışmanın amacı, atmosferik adsorbatların grafen/n-tipi Silikon (Gr/n-Si) bazlı Schottky bariyer fotodiyotlarının elektronik ve optoelektronik özelliklerine etkisini araştırmaktır. Yüksek vakum koşulları altında yapılan dalga boyu çözümlemeli fotoakım spektroskopisi ve geçici fotoakım spektroskopi ölçümleri, adsorbatların grafende boşluk katkısına neden olduğunu ve dolayısıyla Gr/n-Si heteroyapısının sıfır beslem Schottky bariyer yüksekliğini 0.71’den 0.78 eV’ye yükselttiğini ortaya çıkardı. Bariyer yüksekliğinde adsorbatla indüklenen artışın, heteroyapının ükenme bölgesinde foto uyarımlı yük taşıyıcıların ayrılmasını teşvik eder ve yakın kızılotesi bölgede Gr/n-Si fotodiyotun maksimum spektral tepkisinde (0.39’dan 0.46 AW^−1 ’a) ve tepki hızında bir iyileşmeye yol açtıgı bulunmuştur. Deneysel olarak elde edilen sonuçların grafen ve diğer 2D materyallerin farklı yarı iletkenlerle oluşturduğu heteroyapılarının düzeltmesinde ve foto-tepki karakterlerindeki adsorbat kaynaklı varyasyonları anlaması beklenmektedir.